SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SI7960DP-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 26’613

Stückpreis : Fr. 2.32000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI7960DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7960DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7960DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 60V 6,2A 1,4W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7960DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,2A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	21mOhm bei 9,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	-
Leistung - Max.	1,4W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7960