Name: SI7998DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7998DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.84851 CHF
Availability: InStock

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SI7998DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SI7998DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI7998DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI7998DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI7998DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO8
Standardlieferzeit des Herstellers	10 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 25A, 30A 22W, 40W Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI7998DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	Logikpegel-Gate
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25A, 30A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,3mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100pF bei 15V
Leistung - Max.	22W, 40W
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8 Dual
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8 Dual
Basis-Produktnummer	SI7998