Name: SI8466EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8466EDB-T2-E1TR-ND
Price: 0.20539 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SI8466EDB-T2-E1
DigiKey-Teilenr.	SI8466EDB-T2-E1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SI8466EDB-T2-E1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SI8466EDB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SI8466EDB-T2-E1
Beschreibung	MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 8 V 3,6 A (Ta) 780mW (Ta), 1,8W (Tc) Oberflächenmontage 4-Microfoot
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SI8466EDB-T2-E1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3,6 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,2V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	43mOhm bei 2A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	700mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	710 pF @ 4 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	780mW (Ta), 1,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	4-Microfoot
Gehäuse / Hülle	4-UFBGA, WLCSP
Basis-Produktnummer	SI8466