SIA467EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SIA467EDJ-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA467EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA467EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA467EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 31A PPAK SC70-6
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 31 A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Single
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	31 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	13mOhm bei 5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	72 nC @ 8 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2520 pF @ 6 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,5W (Ta), 19W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SC-70-6 Single
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SC-70-6
Basis-Produktnummer	SIA467