Name: SIA485DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA485DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIA485DJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA485DJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA485DJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA485DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA485DJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 150V 1.6A PPAK SC70
Standardlieferzeit des Herstellers	63 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 150 V 1,6 A (Tc) 15,6W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA485DJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6.3 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 155 pF @ 75 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 15,6W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 150 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,6 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,6Ohm bei 500mA, 10V	Basis-Produktnummer SIA485

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 2’725

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)