Name: SIA921EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 0.98371 CHF
Availability: InStock

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SIA921EDJ-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIA921EDJ-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 20V 4,5A 7,8W Oberflächenmontage PowerPAK® SC-70-6 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIA921EDJ-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 59mOhm bei 3,6A, 4,5V
Hersteller Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 23nC bei 10V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 7,8W
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SC-70-6 Dual
FET-Merkmal Logikpegel-Gate	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SC-70-6 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V	Basis-Produktnummer SIA921
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 4,5A

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)