Name: SIDR500EP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.74026 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIDR500EP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR500EP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR500EP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR500EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR500EP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 94A (Ta), 421A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR500EP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen V
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	94A (Ta), 421A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,47mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+16V, -12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8960 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	7,5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8DC
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8