Name: SIDR626LEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.30238 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIDR626LEP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR626LEP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 48,7A (Ta), 218A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 135 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5900 pF @ 30 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 48,7A (Ta), 218A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8