Name: SIDR668ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.34029 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIDR668ADP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR668ADP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR668ADP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR668ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR668ADP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 23.3A/104A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 23,3A (Ta), 104A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR668ADP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3750 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8DC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 23,3A (Ta), 104A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIDR668
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8mOhm bei 20A, 10V