Name: SIDR680ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR680ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.77817 CHF
Availability: OutOfStock

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SIDR680ADP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIDR680ADP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIDR680ADP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIDR680ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIDR680ADP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 30.7A/137A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 30,7A (Ta), 137A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8DC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIDR680ADP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30,7A (Ta), 137A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,88mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	83 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4415 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,25W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8DC
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIDR680