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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHA11N80E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHA11N80E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHA11N80E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 88 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1670 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 voller Pack |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 440mOhm bei 5,5A, 10V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.75000 | Fr. 3.75 |
| 50 | Fr. 1.93400 | Fr. 96.70 |
| 100 | Fr. 1.75740 | Fr. 175.74 |
| 500 | Fr. 1.44820 | Fr. 724.10 |
| 1’000 | Fr. 1.34892 | Fr. 1’348.92 |
| 2’000 | Fr. 1.26546 | Fr. 2’530.92 |
| 5’000 | Fr. 1.24056 | Fr. 6’202.80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.75000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.05375 |
