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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHA11N80E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHA11N80E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHA11N80E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 440mOhm bei 5,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 88 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1670 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 34W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 voller Pack | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 1’081
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.67000 | Fr. 1.67 |
| 50 | Fr. 1.42400 | Fr. 71.20 |
| 100 | Fr. 1.41980 | Fr. 141.98 |
| 500 | Fr. 1.36042 | Fr. 680.21 |
| 1’000 | Fr. 1.29465 | Fr. 1’294.65 |
| 2’000 | Fr. 1.27400 | Fr. 2’548.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.67000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.80527 |
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