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Vorrätig: 2’000
Stückpreis : Fr. 4.03000
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Vorrätig: 2’000
Stückpreis : Fr. 3.40000
Datenblatt
N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA15N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHA15N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHA15N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
96 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2460 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
34W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
280mOhm bei 8A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCPF13N60NTonsemi0FCPF13N60NT-NDFr. 0.00000Ähnlich
FCPF290N80onsemi625FCPF290N80-NDFr. 5.68000Ähnlich
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1Fr. 3.47000Fr. 3.47
10Fr. 2.28000Fr. 22.80
100Fr. 1.60670Fr. 160.67
500Fr. 1.31912Fr. 659.56
1’000Fr. 1.22678Fr. 1’226.78
2’000Fr. 1.14916Fr. 2’298.32
5’000Fr. 1.11202Fr. 5’560.10
Standardverpackung des Herstellers
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