Name: SIHA17N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA17N80AE-GE3-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA17N80AE-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHA17N80AE-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHA17N80AE-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 7A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 7 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	290mOhm bei 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1260 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	34W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHA17

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.30000	Fr. 1.30
10	Fr. 1.13400	Fr. 11.34
100	Fr. 1.11790	Fr. 111.79
500	Fr. 1.03032	Fr. 515.16
1’000	Fr. 0.97132	Fr. 971.32
2’000	Fr. 0.89580	Fr. 1’791.60

Standardverpackung des Herstellers

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