Name: SIHA24N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA24N80AE-GE3-ND
Price: 2.12957 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHA24N80AE-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHA24N80AE-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHA24N80AE-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 9A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 9 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	9 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	184mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1836 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHA24

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.97000	Fr. 1.97
50	Fr. 1.47300	Fr. 73.65
100	Fr. 1.46880	Fr. 146.88
500	Fr. 1.36006	Fr. 680.03
1’000	Fr. 1.26635	Fr. 1’266.35
2’000	Fr. 1.24200	Fr. 2’484.00

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