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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB100N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB100N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB100N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 100mOhm bei 13A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 50 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1851 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 940
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.70000 | Fr. 4.70 |
| 50 | Fr. 2.48200 | Fr. 124.10 |
| 100 | Fr. 2.26700 | Fr. 226.70 |
| 500 | Fr. 1.89068 | Fr. 945.34 |
| 1’000 | Fr. 1.82200 | Fr. 1’822.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.70000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 5.08070 |
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