Direkter Ersatz
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich



SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB22N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB22N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHB22N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2415 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1’795 | FCB20N60FTMCT-ND | Fr. 5.47000 | Direkter Ersatz |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | Fr. 4.02000 | Ähnlich |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1’095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | Fr. 3.30000 | Ähnlich |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 7’460 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | Fr. 3.08000 | Ähnlich |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4’207 | 238-IXFA22N65X2-ND | Fr. 6.09000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 2.07541 | Fr. 2’075.41 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.07541 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.24352 |







