Name: SIHB24N80AE-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHB24N80AE-GE3-ND
Price: 2.57278 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB24N80AE-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHB24N80AE-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHB24N80AE-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	184mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	89 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1836 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	208W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	SIHB24

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.38000	Fr. 2.38
50	Fr. 1.68520	Fr. 84.26
100	Fr. 1.61500	Fr. 161.50
500	Fr. 1.33366	Fr. 666.83
1’000	Fr. 1.24171	Fr. 1’241.71
2’000	Fr. 1.22544	Fr. 2’450.88

Standardverpackung des Herstellers

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