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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB25N50E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 500 V 26 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 145mOhm bei 12A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1980 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.58000 | Fr. 3.58 |
| 10 | Fr. 2.38200 | Fr. 23.82 |
| 100 | Fr. 1.68910 | Fr. 168.91 |
| 500 | Fr. 1.42162 | Fr. 710.81 |
| 1’000 | Fr. 1.36546 | Fr. 1’365.46 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.86998 |
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