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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB30N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB30N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB30N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2600 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 125mOhm bei 15A, 10V | Basis-Produktnummer |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.61000 | Fr. 5.61 |
| 50 | Fr. 2.99540 | Fr. 149.77 |
| 100 | Fr. 2.74320 | Fr. 274.32 |
| 500 | Fr. 2.30154 | Fr. 1’150.77 |
| 1’000 | Fr. 2.15982 | Fr. 2’159.82 |
| 2’000 | Fr. 2.12278 | Fr. 4’245.56 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.61000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 6.06441 |
