


SIHB33N60EF-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHB33N60EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB33N60EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 33 A (Tc) 278W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Lose im Beutel | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 98mOhm bei 16,5A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 155 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 3454 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263 (D2PAK) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 5.99000 | Fr. 5.99 |
10 | Fr. 4.17000 | Fr. 41.70 |
100 | Fr. 3.05220 | Fr. 305.22 |
500 | Fr. 2.60000 | Fr. 1’300.00 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 5.99000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 6.47519 |