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STMicroelectronics
Vorrätig: 1’460
Stückpreis : Fr. 4.25000
Datenblatt
TO-263-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB6N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB6N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB6N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
820 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 2.13000Fr. 2.13
10Fr. 1.37000Fr. 13.70
100Fr. 0.94030Fr. 94.03
500Fr. 0.75636Fr. 378.18
1’000Fr. 0.69726Fr. 697.26
2’000Fr. 0.64756Fr. 1’295.12
5’000Fr. 0.62000Fr. 3’100.00
Standardverpackung des Herstellers
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 2.13000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 2.30253