Name: SIHD186N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD186N60EF-GE3-ND
Price: 2.84303 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD186N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHD186N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHD186N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	201mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1118 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SIHD186

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 2.63000	Fr. 2.63
50	Fr. 1.32200	Fr. 66.10
100	Fr. 1.27970	Fr. 127.97
500	Fr. 1.10900	Fr. 554.50

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