Name: SIHD6N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHD6N65E-GE3-ND
Price: 1.2972 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD6N65E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHD6N65E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHD6N65E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIHD6N65E-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	48 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	820 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SIHD6

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 1.20000	Fr. 1.20
75	Fr. 0.74627	Fr. 55.97
150	Fr. 0.68707	Fr. 103.06
525	Fr. 0.64935	Fr. 340.91
1’050	Fr. 0.59740	Fr. 627.27
2’025	Fr. 0.55754	Fr. 1’129.02
5’025	Fr. 0.52049	Fr. 2’615.46

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