IRFR9220TRLPBF
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD7N60E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHD7N60E-GE3-ND
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIHD7N60E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage DPAK
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHD7N60E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
680 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DPAK
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer
SIHD7
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500Fr. 0.81124Fr. 405.62
1’000Fr. 0.72393Fr. 723.93
3’000Fr. 0.67027Fr. 2’010.81
Standardverpackung des Herstellers
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