Name: SIHF30N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF30N60E-GE3-ND
Price: 5.52391 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF30N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHF30N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHF30N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	125mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2600 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	37W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHF30

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 5.11000	Fr. 5.11
10	Fr. 3.65400	Fr. 36.54
100	Fr. 2.65300	Fr. 265.30
500	Fr. 2.22658	Fr. 1’113.29
1’000	Fr. 2.20000	Fr. 2’200.00

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