Name: SIHF9Z24STRR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF9Z24STRR-GE3TR-ND
Price: 1.39449 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF9Z24STRR-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHF9Z24STRR-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHF9Z24STRR-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHF9Z24STRR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHF9Z24STRR-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 60V
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 11 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	280mOhm bei 6,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	570 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Auf Lager: 1’983

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)