Name: SIHFL9014TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL9014TR-GE3TR-ND
Price: 1.04857 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHFL9014TR-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHFL9014TR-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHFL9014TR-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHFL9014TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHFL9014TR-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 1,8 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 12 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 270 pF @ 25 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 1,8 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten SOT-223
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 500mOhm bei 1,1A, 10V	Basis-Produktnummer SIHFL9014

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 4’768

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in CHF

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)