Name: SIHFL9110TR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFL9110TR-GE3TR-ND
Price: 0.7567 CHF
Availability: InStock

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SIHFL9110TR-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHFL9110TR-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHFL9110TR-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHFL9110TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHFL9110TR-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 1,1 A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Oberflächenmontage SOT-223
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1,1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 660mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	8.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2W (Ta), 3,1W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	SIHFL9110

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