Name: SIHG180N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG180N60E-GE3-ND
Price: 3.7835 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG180N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHG180N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG180N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1085 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG180

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.50000	Fr. 3.50
25	Fr. 1.92560	Fr. 48.14
100	Fr. 1.69840	Fr. 169.84
500	Fr. 1.61866	Fr. 809.33
1’000	Fr. 1.30414	Fr. 1’304.14
2’000	Fr. 1.28476	Fr. 2’569.52

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