Name: SIHG186N60EF-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG186N60EF-GE3-ND
Price: 3.74026 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG186N60EF-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG186N60EF-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG186N60EF-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 8,4 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	EF
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8,4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	193mOhm bei 9,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1081 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	156W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG186

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.46000	Fr. 3.46
25	Fr. 1.77880	Fr. 44.47
100	Fr. 1.66280	Fr. 166.28
500	Fr. 1.40294	Fr. 701.47
1’000	Fr. 1.27520	Fr. 1’275.20
2’000	Fr. 1.25200	Fr. 2’504.00

Standardverpackung des Herstellers

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