Name: SIHG20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG20N50E-GE3-ND
Price: 3.25381 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG20N50E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG20N50E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG20N50E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 19 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	184mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1640 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG20

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.01000	Fr. 3.01
10	Fr. 1.99100	Fr. 19.91
100	Fr. 1.39540	Fr. 139.54
500	Fr. 1.30188	Fr. 650.94
1’000	Fr. 1.21131	Fr. 1’211.31
2’000	Fr. 1.18000	Fr. 2’360.00

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