SIHG22N50D-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

SIHG22N50D-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG22N50D-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHG22N50D-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG22N50D-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 22A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 22 A (Tc) 312W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	22 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	230mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	98 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1938 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	312W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG22