Name: SIHG24N65E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHG24N65E-GE3-ND
Price: 5.49148 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG24N65E-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHG24N65E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHG24N65E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	24 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	145mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2740 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AC
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	SIHG24

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 5.08000	Fr. 5.08
10	Fr. 3.65400	Fr. 36.54
100	Fr. 2.65200	Fr. 265.20
500	Fr. 2.22658	Fr. 1’113.29
1’000	Fr. 2.20000	Fr. 2’200.00

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