SIHL620S-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

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Vishay Siliconix

Vorrätig: 3’911

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SIHL620S-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHL620S-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHL620S-GE3
Beschreibung	LOGIC MOSFET N-CHANNEL 200V
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 5,2 A (Tc) 3,1W (Ta), 50W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 5 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±10V
Status der Komponente Obsolet	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 360 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 50W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 800mOhm bei 3,1A, 10V

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IRFR220PBF	Vishay Siliconix	3’911	IRFR220PBF-ND	Fr. 0.79920	Vom Hersteller empfohlen

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