Name: SIHP11N80E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP11N80E-GE3-ND
Price: 3.58892 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP11N80E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHP11N80E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP11N80E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	440mOhm bei 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	88 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1670 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	179W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP11

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.32000	Fr. 3.32
10	Fr. 2.37500	Fr. 23.75
100	Fr. 1.81100	Fr. 181.10
500	Fr. 1.57242	Fr. 786.21
1’000	Fr. 1.34999	Fr. 1’349.99
2’000	Fr. 1.26900	Fr. 2’538.00

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