SIHP12N65E-GE3 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
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Datenblatt
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP12N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP12N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP12N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP12N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1224 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 6A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (11)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOT11S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1510-5-NDFr. 0.00000Ähnlich
IPP60R380E6XKSA1Infineon Technologies0IPP60R380E6XKSA1-NDFr. 0.81280Ähnlich
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100Fr. 1.16020Fr. 116.02
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2’000Fr. 0.80945Fr. 1’618.90
5’000Fr. 0.74509Fr. 3’725.45
10’000Fr. 0.74492Fr. 7’449.20
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