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SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP12N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP12N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP12N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1224 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 156W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 6A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| AOT11S65L | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | 785-1510-5-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| IPP60R380E6XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP60R380E6XKSA1-ND | Fr. 0.81280 | Ähnlich |
| IPP60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R385CPXKSA1-ND | Fr. 0.92708 | Ähnlich |
| IPP65R420CFDXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPP65R420CFDXKSA1-ND | Fr. 0.00000 | Ähnlich |
| IXFP22N60P3 | IXYS | 219 | IXFP22N60P3-ND | Fr. 5.90000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.58000 | Fr. 2.58 |
| 10 | Fr. 1.67600 | Fr. 16.76 |
| 100 | Fr. 1.16020 | Fr. 116.02 |
| 500 | Fr. 0.93978 | Fr. 469.89 |
| 1’000 | Fr. 0.86897 | Fr. 868.97 |
| 2’000 | Fr. 0.80945 | Fr. 1’618.90 |
| 5’000 | Fr. 0.74509 | Fr. 3’725.45 |
| 10’000 | Fr. 0.74492 | Fr. 7’449.20 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 2.58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.78898 |







