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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


Vishay Siliconix
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Vorrätig: 37
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Infineon Technologies
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 0.00000
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IXYS
Vorrätig: 0
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IXYS
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.80353

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STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 3.15000
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N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP21N60EF-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHP21N60EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP21N60EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP21N60EF-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
84 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2030 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
176mOhm bei 11A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHP21N60EF-BE3Vishay Siliconix0742-SIHP21N60EF-BE3-NDFr. 3.26000Direkter Ersatz
AOT25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1514-5-NDFr. 2.04182Ähnlich
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2’000Fr. 1.40763Fr. 2’815.26
5’000Fr. 1.39928Fr. 6’996.40
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