Name: SIHP7N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHP7N60E-GE3-ND
Price: 1.03776 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHP7N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHP7N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHP7N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIHP7N60E-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	40 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	680 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	SIHP7

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 0.96000	Fr. 0.96
10	Fr. 0.93000	Fr. 9.30
100	Fr. 0.89760	Fr. 89.76
500	Fr. 0.81206	Fr. 406.03
1’000	Fr. 0.74953	Fr. 749.53
2’000	Fr. 0.69694	Fr. 1’393.88
5’000	Fr. 0.69541	Fr. 3’477.05

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