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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHU6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHU6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHU6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung IPAK (TO-251) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | - | |
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 600mOhm bei 3A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 820 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 78W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | IPAK (TO-251) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Bestellung verfügbar
Informationen zur Lieferzeit
Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.
Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.56065 | Fr. 1’681.95 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.56065 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.60606 |
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