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Marketplace-Produkt
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SIHU6N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHU6N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHU6N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung IPAK (TO-251) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 820 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 78W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten IPAK (TO-251) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Dieses Produkt ist bei DigiKey nicht vorrätig. Die angegebene Lieferzeit gilt für die Lieferung des Herstellers an DigiKey. Nach Erhalt des Produkts wird DigiKey die offenen Bestellungen erfüllen.
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.54593 | Fr. 1’637.79 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.54593 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.59015 |
