
SIHW21N80AE-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHW21N80AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHW21N80AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AD |
Standardlieferzeit des Herstellers | 20 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 17,4A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 235mOhm bei 11A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 72 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1388 pF @ 100 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 32W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247AD | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 4.50000 | Fr. 4.50 |
30 | Fr. 2.84200 | Fr. 85.26 |
120 | Fr. 2.39908 | Fr. 287.89 |
510 | Fr. 1.88124 | Fr. 959.43 |
1’020 | Fr. 1.71800 | Fr. 1’752.36 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 4.50000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 4.86450 |