SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vishay Siliconix

Vorrätig: 3’017

Stückpreis : Fr. 2.82000

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SIR788DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR788DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR788DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	SkyFET®, TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,4mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2873 pF @ 15 V
FET-Merkmal	Schottky-Diode (Körper)
Verlustleistung (max.)	5W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIR788