Name: SIJA52ADP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJA52ADP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4053 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIJA52ADP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJA52ADP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJA52ADP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJA52ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJA52ADP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 41,6 A (Ta), 131 A (Tc) 4,8W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	41,6 A (Ta), 131 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,63mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	+20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5500 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	4,8W (Ta), 48W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer	SIJA52