Name: SIJH5800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.1617 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIJH5800E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH5800E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH5800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH5800E-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJH5800E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30A (Ta), 302A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,35mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	155 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7730 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,3W (Ta), 333W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 8 x 8
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 8 x 8