SIS612EDNT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrete Halbleiterprodukte

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Vishay Siliconix

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SIS612EDNT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIS612EDNT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS612EDNT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK1212-8S
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 50 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	3,9mOhm bei 14A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,2V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2060 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8S
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8S
Basis-Produktnummer	SIS612