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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 10’473
Stückpreis : Fr. 0.98000
Datenblatt

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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 342
Stückpreis : Fr. 1.20000
Datenblatt
SIS176LDN-T1-GE3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIS892DN-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIS892DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
SIS892DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
SIS892DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIS892DN-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers
33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 30 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
29mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
21.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
611 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
3,7W (Ta), 52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerPAK® 1212-8
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 1.71000Fr. 1.71
10Fr. 1.09400Fr. 10.94
100Fr. 0.74110Fr. 74.11
500Fr. 0.59030Fr. 295.15
1’000Fr. 0.56304Fr. 563.04
* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von Fr. 7.00 erhoben.
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
3’000Fr. 0.48026Fr. 1’440.78
6’000Fr. 0.46000Fr. 2’760.00
Standardverpackung des Herstellers
Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 1.71000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 1.84851