
SIS903DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIS903DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIS903DN-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | 2 P-Kanal (zweifach) | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 6 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 20,1mOhm bei 5A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 1V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 42nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2565pF bei 10V | |
Leistung - Max. | 2,6W (Ta), 23W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 1.21000 | Fr. 1.21 |
10 | Fr. 0.76100 | Fr. 7.61 |
100 | Fr. 0.50620 | Fr. 50.62 |
500 | Fr. 0.39700 | Fr. 198.50 |
1’000 | Fr. 0.36185 | Fr. 361.85 |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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3’000 | Fr. 0.31721 | Fr. 951.63 |
6’000 | Fr. 0.29474 | Fr. 1’768.44 |
9’000 | Fr. 0.28350 | Fr. 2’551.50 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.21000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.30801 |