
SIS903DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIS903DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 38 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 20V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIS903DN-T1-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 1V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 42nC bei 10V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2565pF bei 10V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration 2 P-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8 Dual |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 20,1mOhm bei 5A, 4,5V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.42000 | Fr. 1.42 |
| 10 | Fr. 0.89700 | Fr. 8.97 |
| 100 | Fr. 0.60120 | Fr. 60.12 |
| 500 | Fr. 0.47392 | Fr. 236.96 |
| 1’000 | Fr. 0.43301 | Fr. 433.01 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.38105 | Fr. 1’143.15 |
| 6’000 | Fr. 0.35490 | Fr. 2’129.40 |
| 9’000 | Fr. 0.34158 | Fr. 3’074.22 |
| 15’000 | Fr. 0.32662 | Fr. 4’899.30 |
| 21’000 | Fr. 0.32621 | Fr. 6’850.41 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.42000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.53502 |











