
SIS932EDN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIS932EDN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 38 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIS932EDN-T1-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14nC bei 4,5V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000pF bei 15V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8 Dual |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 Dual |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22mOhm bei 10A, 4,5V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 0.76000 | Fr. 0.76 |
| 10 | Fr. 0.47500 | Fr. 4.75 |
| 100 | Fr. 0.30870 | Fr. 30.87 |
| 500 | Fr. 0.23708 | Fr. 118.54 |
| 1’000 | Fr. 0.21398 | Fr. 213.98 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.18463 | Fr. 553.89 |
| 6’000 | Fr. 0.16984 | Fr. 1’019.04 |
| 9’000 | Fr. 0.16231 | Fr. 1’460.79 |
| 15’000 | Fr. 0.15385 | Fr. 2’307.75 |
| 21’000 | Fr. 0.14884 | Fr. 3’125.64 |
| 30’000 | Fr. 0.14397 | Fr. 4’319.10 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 0.76000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 0.82156 |





