
SISF00DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISF00DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 55 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SISF00DN-T1-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,1V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 53nC bei 10V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2700pF bei 15V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | Leistung - Max. 69,4W (Tc) |
Status der Komponente Aktiv | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain | Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V | Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5mOhm bei 10A, 10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.90000 | Fr. 1.90 |
| 10 | Fr. 1.21800 | Fr. 12.18 |
| 100 | Fr. 0.82820 | Fr. 82.82 |
| 500 | Fr. 0.66158 | Fr. 330.79 |
| 1’000 | Fr. 0.60803 | Fr. 608.03 |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3’000 | Fr. 0.54004 | Fr. 1’620.12 |
| 6’000 | Fr. 0.50584 | Fr. 3’035.04 |
| 9’000 | Fr. 0.48921 | Fr. 4’402.89 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.90000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 2.05390 |











