
SISF00DN-T1-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SISF00DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 30V 60 A (Tc) 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SISF00DN-T1-GE3 Modelle |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Hersteller | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Verpackung | Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel® | |
Status der Komponente | Aktiv | |
Technologie | MOSFET (Metalloxid) | |
Konfiguration | N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain | |
FET-Merkmal | - | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | 60 A (Tc) | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 5mOhm bei 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 2,1V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 53nC bei 10V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2700pF bei 15V | |
Leistung - Max. | 69,4W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäuse / Hülle | PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | PowerPAK® 1212-8SCD, zweikanalig | |
Basis-Produktnummer |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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1 | Fr. 1.62000 | Fr. 1.62 |
10 | Fr. 1.03000 | Fr. 10.30 |
100 | Fr. 0.69640 | Fr. 69.64 |
500 | Fr. 0.55330 | Fr. 276.65 |
1’000 | Fr. 0.52057 | Fr. 520.57 |
Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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3’000 | Fr. 0.44885 | Fr. 1’346.55 |
6’000 | Fr. 0.42530 | Fr. 2’551.80 |
Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 1.62000 |
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Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 1.75122 |