Name: SISH112DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.76203 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SISH112DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISH112DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISH112DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISH112DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH112DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11,3 A (Tc) 1,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,5mOhm bei 17,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2610 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-50°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PowerPAK® 1212-8SH
Gehäuse / Hülle	PowerPAK® 1212-8SH
Basis-Produktnummer	SISH112