Name: SISH536DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.92966 CHF
Availability: OutOfStock

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SISH536DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISH536DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISH536DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISH536DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH536DN-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 24,7A (Ta), 67,4A (Tc) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,25mOhm bei 10A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 25 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) +16V, -12V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1150 pF @ 15 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,57W (Ta), 26,5W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 24,7A (Ta), 67,4A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SH
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SH

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